11月20日，江苏省重大项目英诺赛科（苏州）全球研发中心在苏州吴江汾湖正式启用，将打造成为新型宽禁带半导体材料与器件研发基地，同时开展大规模量产化工程问题研究，提升氮化镓材料与器件的整体竞争力。
本次启用的英诺赛科（苏州）全球研发中心建筑面积3.5万平方米，将围绕“新一代信息 功能材料及功率器件”和“战略型新兴产业”需求，重点发展第三代宽禁带半导体氮化镓材料及器件， 致力于打造一个国际领先技术水平的技术及产品研发平台。
英诺赛科（苏州）科技股份有限公司首席财务官钟山介绍说，研发中心将围绕新一代信息功能材料和功率器件，面向咱们功率半导体的需求，涵盖方方面面的研发功能，包括器件设计，可靠性及时效分析研究等等。同时我们也将联合我们的上下游，跟大家一起做联合的研发，完善氮化镓的生态，推动氮化镓产业的发展，将我们氮化镓产业打造一个更高的新高地。
英诺赛科2017年落户汾湖，从珠三角到长三角，多年来深耕半导体领域，在国际国内创造了多项“第一”，连续2年入选全球独角兽企业榜单。现场还举行了英诺赛科8英寸硅基氮化镓芯片生产线建设项目第二阶段产能扩展”项目（即三期银团）贷款签约仪式。
第三代半导体是全球半导体技术研究前沿和新的产业竞争焦点，与长三角一体化发展示范区绿色低碳理念高度契合。今年苏州专门出台《关于加快培育未来产业的工作意见》，重点发展第三代半导体 。当前，苏州吴江聚力创新，大力发展战略性新兴产业，打造第三代半导体创新策源地、人才集聚地、 产业新高地。
（江苏广电苏州中心站/耿昊东 郭彧 编辑/玉洁）
