新华社北京5月14日电 国务院任免国家工作人员。
任命王曦为科学技术部副部长；任命王爱文为民政部副部长；任命韩子荣（女）为北京2022年冬奥会和冬残奥会组织委员会专职副主席（副部长级）。
免去张建国的科学技术部副部长、国家外国专家局局长职务。
科技部网站提供的资料显示，王曦此前担任中国科学院上海微系统与信息技术研究所所长、中国科学院上海高等研究院院长、中国科协副主席。
自今年4月起，王曦出任科技部副部长、党组成员兼中国科协副主席。
1966年8月，王曦出生于上海，原籍江苏南通。1983年从江苏省南通中学毕业，并考入清华大学工程物理系 。
王曦：科学家应把自己的研究与国家战略需要联系起来
在中国，如果提到高端硅基SOI材料研发和产业化，业内人士都会提到一个名字——王曦。
王曦，中国科学院院士，我国著名半导体材料学专家，中科院上海微系统与信息技术研究所所长、我国高端集成电路衬底材料的主要开拓者和领军人物。
1996年，博士毕业后的王曦前往欧洲最大的离子束材料研究基地德国罗森多夫研究中心做访问学者。
1998年6月回国后不久，王曦得知一个震惊中国材料界的消息，IBM宣布将国际公认的21世纪微电子新材料SOI应用于处理器芯片生产，带动一批著名半导体跨国公司进行这项技术的开发。
SOI，是Silicon-on-insulator的简称，中文译为绝缘体上的硅。国际上公认，SOI在低压、低功耗电路、耐高温电路、微机械传感器、光电集成等方面具有重要应用价值。
王曦意识到，提升我国SOI技术应用研究力度、实现产业化进程迫在眉睫。
33岁的王曦毅然担起重任，带领科研团队，聚焦SOI材料制备中的关键技术“离子注入”，为了尽快赶上国际先进水平，夜以继日地在实验室里奋斗。
奋斗迎来了曙光。2000年，离子束原位掺杂技术获得重要进展，相关论文引发国际同行高度关注。
2001年7月，为了将科研技术应用于高端集成电路衬底材料SOI开发，王曦推动中科院上海微系统所孵化成立了上海新傲科技股份有限公司。
他和SOI课题组的5位博士一同进入公司，科学家王曦转型成为董事长和CEO。
经过不懈努力，研究团队开发了超低剂量SOI工艺，在国际上独创了具有自主知识产权的注氧键合Simbond-SOI技术。
王曦坦言，当自己和团队经过无数个奋战的昼夜，生产出一个个光润无瑕、晶莹剔透的“三明治”硅片的时候，大家的幸福感和激动之情溢于言表。
然而，经营管理企业，光拥有技术还远远不够，融资、设备引进、技术突破、开拓市场……所有过程都比预想的要艰难。
王曦说，每一个环节遇到的波折都足以使人放弃，仅融资就谈了100多家才宣告完成。
凭着坚忍不拔的信念，王曦和他的团队协力奋战，终于实现了SOI材料产业化，填补了国内空白。
中国创造的硅片，远销西方发达国家，成功实现中国微电子材料的跨越式发展。
众望所归，“高端硅基SOI材料研发和产业化”荣获2006年国家科技进步奖一等奖。上海新傲科技股份有限公司也因成功完成我国8英寸SOI材料产业化，成为了我国唯一的SOI材料研发和生产基地。
2014年，上海新傲科技股份有限公司和全球最大的SOI生产商法国Soitec签署了合作协议，巩固了双方的战略伙伴关系，树立了中国企业在国际上的地位。
王曦至今仍记得，当年创业初始，自己在法国曾在Soitec门口转悠，只能和门卫聊聊天的情形；没想到，时隔多年，自己能和这家行业巨头在自己的祖国，平起平坐，握手合作。
“做科学家，尤其是应用学科的科学家，必须把自己的研究与国家的战略需要联系起来，通盘去想，去布大局，做大事。”在接受《中国科学报》采访时，王曦如是说。
简 历
王曦，中共党员。中共第十九届中央候补委员。中国科学院上海冶金研究所毕业，研究生学历，工学博士学位，中国科学院院士，研究员。
1983年9月至1987年9月在清华大学学习。
1987年9月至1990年6月在中国科学院上海冶金研究所硕士研究生学习。
1990年6月至2001年7月留所工作，历任研究室副主任、主任。
2001年7月至2019年4月在中国科学院上海微系统与信息技术研究所工作，其中：
2001年7月至2002年3月任第三研究室主任，
2002年3月至2004年4月任所长助理、第三研究室主任，
2004年4月至2007年3月任副所长、党委副书记，
2007年3月至2009年3月任党委书记、副所长，
2009年3月至2010年7月任党委书记、常务副所长，
2010年7月至2016年6月任所长。
2016年6月至2019年4月任所长兼中国科学技术协会副主席，其间：
2017年4月任中国科学院上海高等研究院院长。
2019年4月任科学技术部副部长、党组成员兼中国科学技术协会副主席。
（简历来自科技部网站）
